尚勋忠教授
姓名：尚勋忠
职称：教授
一、学习及工作简历
1990.09-1994.07：湖北大学物理系，物理教育专业教育学学士学位
1995.09-1998.07：湖北大学压电陶瓷技术研究所，无机非金属材料专业工学硕士学位
1998.07-2001.08：湖北大学物理学与电子技术学院，助教
2001.09-2004.07：中国科学院物理研究所，，凝聚态物理专业理学博士学位
2003.09-2003.12：澳大利亚Wollongong大学工程物理系，交换学生
2004.09-2005.04：日本神户大学工学部电子电气工程系，非常勤研究员
2005.04-2006.07：武汉大学物理科学与技术学院，博士后
2006.8至今 湖北大学材料科学与工程学院，教授，
二、教学工作
本科生课程：《电磁学》、《电动力学》、《材料物理学》、《光电子学》、《电介质物理》、《电子材料及应用》、《科学研究方法》等
研究生课程：《电子陶瓷物理》
三、科研方向
1、半导体光电材料与器件
2、铁电压电材料与器件
四、科研成果
近年来承担的主要科研项目
1．主持国家自然科学基金“铌酸钾钠基无铅铁电半导体高电子迁移率晶体管材料制备及性能研究”，51472079/E0209, 2015.01—2018.12
2．主持国家自然科学基金“稀土离子注入调节钛酸锶钡铁电薄膜上转换材料的光学性能及发光机理研究”，11175062/A050406, 2012.01—2015.12
3．参与国家自然科学基金“P型GaN表面透明低阻欧姆接触的离子注入制备和特性研究”，10675094/A050406, 2007.01—2009.12
4．参与国家自然科学基金“铁电材料中畴结构及其动力学行为的电子显微学研究”，19804004, 1999.01—2001.12
5．参与国家自然科学青年基金“阴离子取代ZnO基量子阱结构ZnOxS1-x/ZnO的设计、制备与光学特性研究”，51002049/E0209, 2011.01—2013.12
6．主持湖北省教育厅重点项目“无铅Bi0.5Na0.5TiO3基铁电材料-GaN高电子迁移率晶体管研究”，D20081008, 2008.01—2009.12
7．主持湖北省自然科学基金“无铅压电铁电材料开发应用中的物理机制研究”，2008CDB277, 2009.01—2010.12
五、主要科研论文：
Xunzhong Shang,Lei Zhang, Jingang Fang, Mingkai Li, and Yunbin He,Annealing and characterization of CuInS2thin films prepared on sapphire substrates by pulsed laser deposition, Materials Research Innovations,2014 ，18（S4）：22~25
Xunzhong Shang,Jinming Guo, Wanping Xiao, Yinmei Lu, Gang Chang, Taosheng Zhou, Yunbin He, The Effects of Ta Substitution and K/Na Ratio Variation on the Microstructure and Properties of (K,Na)NbO3-Based Lead Free Piezoelectric Ceramics,Journal of Electronic Materials,2014，43：1424~1431.
Xunzhong Shang,Zhiqiang Wang, Mingkai Li, Lei Zhang, Jingang Fang, Jiali Tai, Yunbin He, A numerical simulation study of CuInS2 solar cells, Thin solid films, 2014，550 ：649~653.
Xunzhong Shang,Heng Liu, Jinming Guo, Dan Jiang, Taosheng Zhou, Yunbin He, Enhancing the properties of high-temperature BiScO3-PbTiO3 piezoceramics via Bi addition, Mater. Res. Bull., 2013，48 ：3072~3076.
Xunzhong Shang,Jingang Fang, Lei Zhang, Mingkai Li, Gang Chang, Pai Li, Yunbin He, Pulsed laser deposition and characterization of epitaxial CuInS2 thin films on c-plane sapphire substrates, J. Alloy. Compd., 2013，553 ：282~285
X.Z.Shang, Jing wu , W.X.Wang, Q.Huang, J.M.Zhou，Room temperature photoluminescence evaluation of In0.29Al0.71As/In0.3Ga0.7As/GaAs metamorphic high electron mobility transistor structures, Solid State Electronics,51,63-67(2007)
X. Z. Shang,S. D. Wu, W. X. Wang, L.W. Guo,Q. Huang and J. M. Zhou, Low temperature step-graded InAlAs/GaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy,Journal of Physics D: Applied Physics,39,1800-1804(2006)
X.Z.Shang,P.J.Niu, B.N.Mao,W.X.Wang, L.W.Guo, Q.Huang, J.M.Zhou, InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor Grown by Solid-source Molecular Beam Epitaxy with a GaP decomposition Source, Solid State communication,138，114-117（2006）
X.Z.Shang, P.J.Niu, W.L.Guo, W.X.Wang, Q.Huang, J.M.Zhou, Photoluminescence investigation of Be-doped NpnAlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor structures, Physica E :Low-dimensional Systems and Nanostructures.30, 36(2005)
X.Z.Shang,W.C.Wang, S.D.Wu, Z.G.Xing, L.W.Guo, Q.Huang and J.M.Zhou, Effects of Indium doping on the properties of AlAs/GaAs quantum wells and inverted AlGaAs/GaAs 2D electron gas, Semiconductor Science and Technology 19,519(2004)
X.Z. Shang,L.W.Guo, S.D.Wu, P.J.Niu, Q.Huang and J.M.Zhou, Optical properties of highly disordered InGaP by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source, Journal of Crystal Growth.262,14(2004)
X.Z.Shang,P.J.Niu, S.D.Wu, W.X.Wang, L.W.Guo, Q.Huang, J.M.Zhou, Properties of InGaP/GaAs grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source,Chinese Physics Letters.20 (9), 1616(2003)
尚勋忠，方金钢，王志强，黎明锴，周桃生，何云斌.黄铜矿结构CuInS2 陶瓷和薄膜的制备及性能研究,湖北大学报（自然科学版）,2013,35(1):89~92
尚勋忠，刘越彦，孙锐，郭金明，周桃生，常钢，何云斌. 抗还原型PZT 压电陶瓷的制备与性能,硅酸盐学报，2013,41（3）:288~291
尚勋忠，陈威，曹万强.弛豫铁电体介电可调性的研究,物理学报，2012,61(21):217701
尚勋忠，松下和征，井上知也，喜多隆，和田修，保田英洋，森博太郎. 自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究.固体电子学研究与进展,2007,27(2):151~153
尚勋忠，张源伟，周桃生，何云斌，柴荔英，邝安祥，一种压电陶瓷降压变压器材料的研究，硅酸盐学报,2000,28(2):176~180
尚勋忠，王文冲，郭丽伟，吴曙东，黄绮，周均铭,掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及应用，半导体学报,2004,25,1128~1131
六、授权专利
何云斌，郭金明，尚勋忠，周桃生，柴荔英，尹向阳，胡建仁, 高耐压铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法和用途, 发明专利，授权 明专利专利号（ZL201110236713.4）
何云斌，方金钢，尚勋忠，王志强，黎明锴，常钢，周桃生，尹向阳，一种溅射法制备高度取向的CuInS2外延薄膜, 发明专利， 明专利授权 明专利专利号（ZL201210306684.9）
何云斌，朱明敏，尚勋忠，周桃生，尹向阳，胡建仁, 一种制备无铅KNN-LT-LS纳米管的方法, 发明专利，授权 明专利专利号（ZL201210483645.6）
