姓 名：代波
性 别：男
最高学历：理学博士
职 称: 教授
主要研究方向:
1、磁性材料与物理；
2、薄膜材料与器件
个人简介：
【代波】男，1976年4月生，四川省绵阳市人。教育部新世纪人才，四川省学术和技术带头人后备人选，四川省青年学科带头人培养对象，中国材料学会青年理事会理事。
2000~2005年在中国科学院物理研究所研究生学习，师从赖武彦研究员和蔡建旺研究员，对磁性多层膜进行研究，特别是对应用在自旋阀和磁性隧道结中的铁磁/反铁磁交换偏置体系进行了比较深入地探索。2005年获得中国科学院凝聚态物理博士学位。2006~2008年于英国University of Bath博士后研究，主要从事亚微米铁磁阵列的制备及其对二维自由电子气的输运性质影响研究。2005年7月加入西南科技大学材料学院。本申请人擅长于纳米磁性材料的实验制备与物理分析、以及复合铁磁体系中自旋极化电子的输运研究。参与了国家自然科学基金重大项目、科技部国家重大基础研究973项目以及多项国家自然科学基金面上项目。发表高水平学术论文20余篇，其中作为第一作者在Applied Physics Letters 上发表三篇，作为第一发明人获授权国家发明专利三项。目前，本人研究领域主要为纳米磁性材料的物理化学方法制备及物性研究、磁性复合体系中电子输运研究以及与电磁波的相互作用研究、以及先进电子薄膜制备及加工技术研究。目前主持973计划前期研究专项一项、国家自然科学基金一项和863重点项目子课题一项。
科学研究(在研项目):
教育部新世纪人才计划 2012.01-2014.12
973计划前期研究专项 2011.04-2013.08
国家自然科学基金项目 2011.01-2013.12
863重点项目子课题 2010.06-20.12.12
发表论文：
1. B. Dai, Y. Lei, X.P. Shao and J. Ni, Improved exchange bias of PtCr antiferromagnets with FeMn or Mn addition，Journal of Alloys and Compounds, 2010 (490): p427-430
2. B. Dai, X. Liu, Y. Lei and A. Nogaret, Magnetoresistance of electrons channeled by microscopic magnetic waveguide, Chinese Physics Letters, 2009 (26): 037202-1~037201-3
3. B. Dai, Y. Wang, J. W. Cai and W. Y. Lai, The influence of the interfacial FeMn insertion layer on the pinning effect of IrMn/CoFe exchange coupled bilayers, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2007 (312): 370-373
4. B. Dai, J.W. Cai, W. Y. Lai, Y. Z. Liu, Z. Zhang, F. B. Meng, and Y. X. Li, Large enhancement of exchange bias in CoFe/CrPt films through interfacial Mn addition, Journal of Applied Physics , 2006 (99): 073902-1- 073902-4
5. B. Dai, J. W. Cai, W. Y. Lai, Y. K. An, Z. H. Mai, F. Shen, Y. Z. Liu, and Z. Zhang, Large exchange bias and high stability of CoFe/CrPt films with L10 CrPt as the pinning layer,Applied Physics Letters, 2005 (87): p92506-92508
6. B. Dai, J. W. Cai, W. Y. Lai, X. Ge and Z. Zhang, Improved pinning effect in PtMn/NiFe system by Cr addition into PtMn, Applied Physics Letters, 2004 (85), p5281-5283
7. B. Dai, J. W. Cai, W. Y. Lai, F. Shen, Z. Zhang, and G. H. Yu, Approach to optimize the pinning effect of a NiMn layer with reduced thickness under a much shortened annealing process, Applied Physics Letters, 2003 (82), p3722-3724
